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2020-08-26
熱釋電系數(shù)可用靜態(tài)法、動態(tài)法和積分電荷法測試，其中積分電荷法得到廣泛應(yīng)用。圖4.5-32為積分電荷法測試原理圖(GB/T3389.8-1986)。該方法通過測量在電容器上積累的熱釋電電荷，測定剩余極化隨溫度的變化。使用靜電計測得積分電容兩端電壓，輸出至函數(shù)記錄儀Y端，由于積分電容值遠大于試樣電容值，其兩端的電壓變化正比于試樣剩余極化的變化。同時，用X端記錄試樣溫度變化，可得到熱釋電電荷Q隨溫度T變化的曲線，微分該曲線，就可得到熱釋電系數(shù)測試設(shè)備的加熱油槽由銅制成，外殼接地以屏...2020-08-25
在居里溫度Tc處，鐵電壓電材料的許多物理性質(zhì)，如介電常數(shù)、熱容量、線膨脹系數(shù)等都將發(fā)生突變，因此，只要測定這種突變點對應(yīng)的溫度就能確定鐵電壓電材料的居里溫度。測定居里溫度7。的方法很多，有自動導納測量儀法、相變儀測量法、傳輸線測量法及電滯回線突變法等。下面介紹自動導納測量儀法。用自動導納測量儀測量居里溫度時，在測量頻率一定的情況下，只要測量電納隨溫度的變化曲線，就能得到介電常數(shù)隨溫度T的變化曲線，即ε-T曲線，從而找出介電常數(shù)突變點來確定居里溫度，其測量原理圖如圖4.5-31...2020-08-25
測量鐵電材料電滯回線的方法通常有兩種：沖擊檢流計描點法和Sawyer-Tower電路法。第二種方法可用超低頻示波器進行觀察以及用xy函數(shù)記錄儀進行記錄，簡便迅速，故人們常常采用。采用Sawyer-Tower電路準靜態(tài)測試鐵電陶瓷材料電滯回線的測量原理圖（GB/T6426-1999）如圖4.5-30所示，系統(tǒng)絕緣電阻不小于108Ω，超低頻高壓源輸出電壓峰值為0~5KV、頻率為0.1Hz的正弦波。運算放大器輸入阻抗不小于109Ω。標準電容器Co的直流電阻不小于109Ω，一般容量為...2020-08-24
一、主要特點:1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進行電弱點的測試，測試寬度可根據(jù)用戶的要求而設(shè)定，無須將膜分切成小卷，免除了許多外來因素對測試結(jié)果的影響。2、測試數(shù)據(jù)能真實地反映薄膜的質(zhì)量水平。3、主要元器件均選用品牌(如歐姆龍，美信，ABB等)，有效地保證了設(shè)備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。4、測量，復(fù)現(xiàn)性好。5、測試過程采用電子技術(shù)全自動控制，遇到電弱點時電壓切斷動作迅速。6、擊穿電流在0～40mA連續(xù)可調(diào)，復(fù)現(xiàn)性好。7、多重保護功能，充分考慮了操作人員及設(shè)備的安全性。8、過壓、過流、...2020-08-24
據(jù)標準《GB/T13541-92電氣用塑料薄膜試驗方法》，電氣用塑料薄膜要求進行電弱點測試，在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(電弱點)數(shù)成為衡量薄膜成量的重要指標，那如何進行測試呢？此時就用到了電弱點測試儀。電氣用塑料薄膜電弱點測試儀，無須將膜卷分切成小卷，根據(jù)薄膜的使用寬度直接進行電弱點測試。由于薄膜在生過程中極易引起縱向劃傷，該儀器*引用“電弱線”概念，即在規(guī)定的時間內(nèi)檢測到的試樣漏電流均超過1mA時，認定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過程中存在縱向劃痕，從而產(chǎn)生“電弱線”，測試儀統(tǒng)...2020-08-21
在光電子學及其它高技術(shù)的發(fā)展中，薄膜材料占有重要的地位。鐵電薄膜具有電光效應(yīng)、非線性光學效應(yīng)、壓電效應(yīng)和熱釋電效應(yīng)等多種特性，又具有便于平面化和集成化的特點，因而特別受到人們的重視?，F(xiàn)在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO3(PT)、Pb1-xLaTi1-x/4O3(PLT)、PZT、PLZT、LiNbO3、Bi4Ti3O12和BaTiO3。制備方法有電子束蒸鍍、離子束濺射、射頻磁控濺射、射頻二極濺射、金屬有機化學氣相淀積和金屬有機熱分解法等。為了充分發(fā)掘鐵電薄膜的功能，希望薄膜是...2020-08-20
臨界負溫熱敏材料以VO2為基本成分的多晶半導體材料，在68℃附近電阻值發(fā)生突變，在狹小的溫區(qū)內(nèi)，電阻值隨溫度的增加而降低3~4個數(shù)量級，具有很大的負溫度系數(shù)。阻值突變的溫度稱為臨界溫度Tc，不同的材料其臨界溫度Tc不同，如V2O3的臨界溫度為-100℃，F(xiàn)e304為-150℃，VO2為68℃，Ti305為175℃，V305為140℃。Tc可以通過摻入適當?shù)碾s質(zhì)提高或降低，如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間，摻入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在臨界...
京公網(wǎng)安備11011302007502號